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第三代半导体板块逆势大涨 乾照光电:三方面风险仍需谨慎

2020-09-04 14:54:50 财联社 

财联社(上海 记者 刘郝)讯,我国正在规划将大力支持发展第三代半导体产业写入“十四五”规划之中。今日盘间,氮化镓(GaN)等半导体板块领涨两市。板块中,创业板乾照光电(300102,股吧)(300102.SZ)、聚灿光电(300708,股吧)(300708.SZ)、台基股份(300046,股吧)(300046.SZ)等涨停。乾照光电董秘办人士告诉财联社记者,这一政策对公司和产业而言是“重大的利好”。

“但要注意的是,乾照光电本身没有生产氮化镓,只有一家参股公司生产氮化镓。氮化镓只是公司生产LED芯片和外延片的材料之一。”上述人士向财联社记者表示,公司未来是否会直接参与氮化镓生产尚不确定。

上述人士告诉财联社记者,对于公司和第三代半导体产业来说,尚有三方面风险仍值得谨慎。在该人士看来,整个行业受相关政策的影响很大,但由于相关文件仍未正式出台,政策的不确定性依然存在。第二个风险则来自于技术方面,我国相关公司目前还难以确定,能否在第三代半导体技术上走在行业前沿,以及能否在技术研发上持续投入。最后一方面风险则是市场方面,产业链下游具体的市场需求量仍是未知数。

据权威消息人士透露,“十四五”规划之中,我国计划在2021-2025年期间,在教育、科研、开发、融资、应用等各个方面,大力支持发展第三代半导体产业,以期实现产业独立自主。下一个五年的经济战略包括向无线网络到人工智能等技术领域投入约1.4万亿美元。

财联社记者注意到,目前还没有国家在这一新兴技术领域占据主导地位。近年来,我国在第三代半导体相关专利的申请量快速增长,超越美国。第三代半导体材料是功率半导体跃进的基石,目前比较成熟的有碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等,这些材料更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件,广泛应用于5G射频芯片、军用雷达和电动汽车等。

华创证券指出,随着物联网、大数据和人工智能驱动的新计算时代的发展,以碳化硅为代表的第三代半导体开始逐渐受到市场的重视,国际上已形成完整的覆盖材料、器件、模块和应用等环节的产业链,全球新一轮的产业升级已经开始。

(责任编辑:张洋 HN080)
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