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美迪凯：晶圆背部减薄及切割工艺实现高标准外观要求

2023-03-27 16:01:59 和讯李显杰

快讯摘要

美迪凯：晶圆背部减薄及切割工艺实现高标准外观要求：美迪凯3月27日在互动平台表示，公司晶圆背部减薄及切割工艺，实现12英寸晶圆TTV＜2.5μm、切割后崩边＜10μm及芯片表面的高标准外观要求。

快讯正文

美迪凯：晶圆背部减薄及切割工艺实现高标准外观要求：美迪凯3月27日在互动平台表示，公司晶圆背部减薄及切割工艺，实现12英寸晶圆TTV＜2.5μm、切割后崩边＜10μm及芯片表面的高标准外观要求。

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（责任编辑：李显杰）

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