捷佳伟创(300724)：RF-PECVD设备突破 HJT设备迎头赶上

　　核心观点：
　　射频（RF）微晶P 工艺获得突破。根据公司官方公众号8 月2 日的推送，公司常州HJT 中试线成功研发出射频（RF）微晶P 工艺，微晶P 薄膜沉积速率超过2 埃/秒，同时晶化率稳定在50%以上；常州中试线制备的基于双面微晶的12BB 异质结电池平均效率达到25.1%（德国ISFH（哈梅林）标准），电池良品率稳定在98%以上。
　　RF 存在沉积速率慢结晶性差等缺点。一般的，RF 方式由于较强的离子轰击存在微晶孵化层厚、结晶性较差、消耗氢气较多等问题，VHF 具有结晶性高、离子轰击小、沉积速率快等优点，但是存在驻波效应而导致腔体不能过大因此需要采用多腔体方案，限制了产能的进一步增长。
　　捷佳伟创突破RF 瓶颈，助力行业降本。根据公司官方公众号8 月2日的推送，捷佳伟创突破射频（RF）微晶P 的高速高质量沉积，打破RF沉积速率慢与晶化率低的固有印象，射频（RF）微晶P 设备工艺均匀性达到6%以内，稳定性和重复性均在中试线量产设备上得到充分验证；RF 的突破有利于公司研发超大腔体的RF 设备，大产能射频板式PECVD 预计将比市面上主流设备减少1-2 个微晶P 腔体，增强公司在HJT 的竞争力并助力行业降本。
　　盈利预测与投资建议。预计公司23-25 年归母净利润分别为17.94/31.96/42.73 亿元，对应最新股价PE 分别是19x/10x/8x。公司在硼扩、管式PE-Poly、板/管式PECVD-HIT、CAT-CVD 等设备多路线积极布局，并逐步进入收获期，结合可比公司的情况，我们维持公司的合理价值151.83 元/股，维持公司“买入”评级。
　　风险提示。产生坏账的风险，技术进步不确定的风险，行业竞争加剧的风险，下游需求波动的风险，贸易摩擦的风险。
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

   【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。