台积电全面展开1.4nm级工艺研发，A14预计2027-2028年问世，或将采用第二代或第三代GAAFET技术

快讯正文

台积电近日在IEEE国际电子器件会议（IEDM）的小组研讨会上透露，已经全面展开1.4nm级工艺制程研发。同时，台积电重申，其2nm级制程将按计划于2025年开始量产。据分析，1.4nm制程节点的正式名称为A14，预计将在2027-2028年问世。虽然目前台积电尚未透露A14的量产时间和具体参数，但考虑到N2节点计划于2025年底量产，N2P节点则定于2026年底量产，A14节点预计将在2027-2028年问世。在技术方面，A14节点可能将像N2节点一样，依赖于台积电第二代或第三代环绕栅极场效应晶体管（GAAFET）技术。值得注意的是，N2和A14等节点将需要系统级协同优化，才能真正发挥作用，并实现新的性能、功耗和功能水平。目前还不清楚台积电是否计划在2027-2028年时间段为A14制程采用High-NA EUV光刻技术。但可以肯定的是，台积电的科学家和开发人员正在致力于下一代生产节点的研发。