拓荆科技投资11亿建高端半导体基地，抢占市场先机

拓荆科技发布投建“高端半导体设备产业化基地建设项目”，并调减募集资金用于该项目。该项目总投资约为11亿元，建设周期预计为4年。拓荆科技认为，该项目有利于满足集成电路制造产线的扩产需求，推动集成电路设备技术的发展，提升公司核心竞争力，巩固公司在行业的领先地位。该项目也将提供支撑条件，有利于公司研发成果及新产品投入量产。拓荆科技专注于高端半导体专用设备的技术研发，并已形成多项国际先进的核心技术。根据SEMI预测，全球半导体制造设备的市场需求量将持续增长，薄膜沉积设备作为核心设备具有较大的市场需求和增长空间。公司此次新建项目有助于进一步推动公司业务规模的持续增长，并提升市场份额。

此外，公司还公布了回购方案，拟回购股份用于股权激励或员工持股计划。