长鑫存储技术革命性突破，专利助力半导体产业降本增效

长鑫存储技术有限公司荣获半导体存储器件结构专利，提升制作效率并降低成本

2024年4月1日，国家知识产权局公告显示，长鑫存储技术有限公司成功取得一项名为“半导体存储器件结构及其制作方法”的专利。该专利申请于2017年12月，授权公告号为CN107994018B。

该专利创新地提供了一种半导体存储器件结构及其制作方法，包括半导体衬底、字线结构和接触结构。其中，半导体衬底由有源区和沟槽隔离结构组成，字线结构在导体衬底中与有源区交叉。通过特殊设计，该技术实现了字线结构长短尾部交错排布，提高了接触结构制作窗口，避免了短路问题。

此外，该发明简化了工艺流程，无需对字线结构尾部进行弯曲处理，降低了工艺复杂性及接触结构定位难度。这一重大突破预示着长鑫存储在半导体存储器件领域的竞争力将得到显著提升，为行业发展带来新的活力。