三大存储器厂 2024 年重启资本支出,重心在 HBM 及高价 DRAM,今年 NAND 资本支出减少,Q3 NAND Flash 或供过于求。
【三大存储器厂今年 NAND 资本支出不增反减 Q3 NAND Flash 或供过于求】
7 月 26 日讯,HBM 高价产品获利快速成长,带动产能排挤及产业供需改善,各家存储器原厂 2024 年重启资本支出投资。
三大存储器供应商重心聚焦 HBM 及高价 DRAM,企业级储存需求强劲,但 NAND Flash 市场供过于求隐忧仍存。
三星电子、SK 海力士及美光今年对 NAND Flash 资本投资不增反减,NAND Flash 报价逐季走扬,下半年产能全面恢复正常水位,市场估计第三季或微幅供过于求,价格上涨趋于平缓。
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