电子行业研究周报：存储器产业有望受益 AI等带动持续扩容

　　投资摘要：
　　市场回顾
　　上周（7.22-7.28）电子指数涨跌幅-5.29%，在申万31 个行业中排名第29，跑输沪深300 指数1.62%。电子行业三级子行业中其他电子Ⅲ(申万)、LED(申万)表现相对较好，指数分别跑赢沪深300 指数2.20%、0.47%。
　　每周一谈：存储器产业有望受益AI 等带动持续扩容存储龙头SK 海力士24Q2 营收创历史新高，HBM、eSSD 表现强劲。根据闪存市场和全球半导体观察公众号信息，7 月25 日公司发布24Q2 财报，Q2 公司实现营收16.42 万亿韩元，环比增长32%、同比增长125%，季度收入创历史新高。营业利润为5.47 万亿韩元，营业利润率达33%。净利润为4.12 万亿韩元，净利润率为25%。公司业绩增长主要受益于产品平均售价提升、高附加值产品组合的增加以及有利的汇率影响，从3 月份开始量产的HBM3E 和服务器DRAM 等高附加值产品销售比重有所扩大。HBM、eSSD 等适用于AI 的存储器需求表现强势，HBM 销售额环比增长超过80%、同比增长超过250%，eSSD 销售额环比增长约50%。公司预计下半年面向AI 服务器的存储器需求持续增长，支持端侧AI 的PC 端和移动端新产品将会上市，对高性能存储器的需求也将随之增长，同时通用存储器需求也将明显上升。公司HBM3E 销售额于Q2 开始显著增长，公司预计HBM3E bit 出货量将于Q3 超过HBM3，并将在24 年占HBM 总销量的50%以上，另外12 层堆叠HBM3E 计划在Q3 大规模生产、于Q4 向客户交货。
　　HBM 兴起推升DRAM 营收，2024-2025 年有望高增。根据TrendForce 集邦咨询，4 项驱动DRAM 营收的因素包括HBM 崛起、一般型DRAM 产品世代演进、原厂资本支出限缩供给和服务器需求复苏。HBM 除拉升位元需求，也拉高产业平均价格。预估2024 年HBM 将贡献DRAM 位元出货量5%、营收20%。此外，DDR5 和LPDDR5/5X 等高附加价值产品渗透同样有助提高平均价格。DDR5 将分别贡献24、25 年Server DRAM 位元出货量40%、60-65%，LPDDR5/5X 将分别贡献24、25 年Mobile DRAM 位元出货量50%和60%。
　　综上，TrendForce 集邦咨询预估受益于DRAM 均价在24 年增加53%、25 年增加35%的情况下，24/25 年DRAM 营收分别同比增长75%/51%达到907/1365 亿美元。
　　QLC 大容量eSSD 和UFS 有望带动2025 年NAND Flash 营收创纪录。据TrendForce 集邦咨询估计，24 年NAND Flash 营收将同比增长77%达674亿美元。25 年在大容量QLC Enterprise SSD 崛起、智能手机采用QLC UFS、原厂资本支出限缩供给和服务器需求复苏等4 项因素带动下，NAND Flash 营收将同比增长29%达870 亿美元。QLC 将贡献24 年NAND Flash 位元出货量20%，此比重25 年将进一步提升。同时，QLC 预计逐步渗透UFS 市场，部分中国智能手机预计于24 年第四季起采用QLC UFS 方案，Apple 则预计2026 年开始导入iPhone。根据TrendForce 集邦咨询，存储器产业营收提升将有望带动行业资本开支提升，存储器生产规模提升将带动硅晶圆、化学品等上游原料需求。同时，存储器价格上涨将增加电子产品成本，或影响ODM/OEM环节利润。
　　投资策略：建议关注国产替代及景气周期上行逻辑下的半导体设备和国产零部件公司北方华创、中微公司、寒武纪-U、华海清科、芯源微、拓荆科技、三环集团、富创精密等，受益AI 终端创新的立讯精密、沪电股份、传音控股等。
　　风险提示：贸易摩擦加剧，需求复苏不及预期，产能扩张不及预期，竞争加剧
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

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