8 月 13 日，SK 海力士计划开发新结构 DRAM，质疑 EUV 工艺制造 DRAM 的盈利性
【8 月 13 日，SK 海力士计划开发 4F2 结构的 DRAM】SK 海力士表示，自 1cDRAM 商业化以来，极紫外（EUV）工艺成本快速上升。其指出，现在是质疑使用 EUV 制造 DRAM 是否有利可图的时候了，就像其竞争对手三星一样。
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