存储芯片风云：涨价与国产崛起，HBM领衔

【AI 热潮下存储芯片价值攀升，各类产品盈利情况引关注】 在 AI 风靡的当下，数据规模爆发式增长，存储芯片作为数据关键承载者价值上扬。存储芯片产品品类众多，其盈利状况成为业界焦点，为此需先对产品品类细分。 存储芯片按功能、读取数据方式及数据存储原理，可分为易失性存储芯片和非易失性存储芯片（ROM）。RAM 断电后数据丢失，用于临时存储，代表产品有 DRAM 和 SRAM。ROM 断电仍能长期存数据，适用于存储程序代码和用户数据，代表产品为 NAND Flash 和 NOR Flash。从全球看，存储芯片市场以 DRAM 和 NAND Flash 为核心，二者市场份额超 90%，NOR Flash 占比约 3%，其他类型约 2%。 DRAM 即动态随机存取存储器，是常见系统内存，需定时刷新。按产品分类，DRAM 主要有 DDR、LPDDR、GDDR 及新型存储 HBM。DDR 适用于高性能计算设备，LPDDR 适合移动设备，GDDR 专为数据密集型应用设计，HBM 在带宽、功耗等方面优势明显。从市场看，DRAM 分主流和利基型，主流玩家为三星、美光和海力士，中国大陆头部公司有进展，利基型玩家分散。 Flash 主要分 NOR Flash 和 NAND Flash。NAND Flash 是非挥发性存储技术，优势众多，按技术类型分有 SLC、MLC、TLC 和 QLC，按产品应用分，NAND Flash 颗粒用于固态硬盘等。全球 NAND Flash 厂商集中，竞争格局稳定。NOR Flash 有自身特点，虽有缺点但难以淘汰，应用领域广泛，竞争格局相对集中。 DRAM 产品中，DDR4、DDR5 涨势明显，HBM 最为迅猛。2024 年 Q1DRAM 产业主流产品合约价上扬，带动营收增长，Q2 延续增长。DDR 不同系列今年上半年涨价，DDR3 因供给减少和需求增加涨价，华邦计划跟进。DDR4 和 DDR5 是涨价主力，LPDDR 和 GDDR 受影响价格上涨。 NAND Flash 产品中，SSD 连续四季度涨价。2024 年 Q1NAND Flash 量价齐扬，产业进入上行周期，合约价上涨。SSD 涨价明显，企业级 SSD 二季度涨幅高，消费级 SSD 也涨价，eMMC/UFS 预计涨价较温和。Nor Flash 产品上半年试探性涨价，中容量涨幅大。 DRAM、NANDFlash 和 NOR Flash 盈利能力受多种因素影响，今年上半年 HBM 盈利能力最强，因其需求增长和供应有限，价格上涨，存储三巨头供应紧张。DDR5 也有优势，性能功耗优，市场需求增长，产品升级且价格上涨。 国内存储厂商参与生产的存储芯片产业主要为 DRAM 和 NAND Flash，今年在需求推动下，行业景气度攀升。上半年，A股 存储芯片赛道上市公司业绩整体高增长，多家公司表现出色。随着新兴技术发展，存储芯片需求持续增长，高性能产品有发展空间，国产公司面临机遇挑战。

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