美国斯坦福大学发现磷化铌薄膜，导电优于铜，有望用于纳米电子学，解决电子产品能耗问题。
【美国斯坦福大学研究人员发现新材料磷化铌，极具未来应用潜力】1 月 15 日电，美国斯坦福大学研究人员在《科学》杂志发表最新研究。首次发现非晶体材料磷化铌，其在制造芯片超薄线路时，几个原子厚的薄膜导电能力比铜更好。这种薄膜能低温沉积生产，与现代计算机芯片兼容，有望带来更强功能、更节能的电子产品，解决电力能耗问题。
【免责声明】本文仅代表作者本人观点，与和讯网无关。和讯网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。邮箱：news_center@staff.hexun.com
![乙级测绘资质证书[乙测资字11513208]](https://img.hexun.com/chzzzs.jpg){kind=link}
最新评论