电子行业：美国半导体出口限制新规解读

　　华泰观点：关注美国出口限制规则对AI 芯片和光刻机等设备进口影响2023 年10 月17 日，美国商务部工业与安全局（BIS）公布两项新的出口限制规则，进一步加强先进计算芯片和半导体制造设备的对华出口限制。新规生效日期为10 月19 日起后30 天。和去年10 月的出口限制条例比较，主要的变化包括：1）调整高性能计算芯片的出口限制规则，导入总算力和算力密度两个尺度，我们预计或会影响英伟达A800、H800、L40S 等GPU对华出口。2）进一步细化对能够用于先进工艺产线的设备的参数限制，是否会影响包括ASML 对华光刻机出口有待进一步观察。
　　AI 芯片：对华出口限制标准收紧，影响A800/H800 等产品对华出口相较于22 年10 月7 日的出口限制规则，这次的新规主要变化如下。1) 取消“互连带宽”作为出口限制标准；2）新增总算力(TPP，total processingperformance）和算力密度(performance density)两项出口限制标准，界定总算力超过4800 的芯片（例如：英伟达（NVDA US）A100/A800/H100/H800,AMD MI300），或者总算力超过1600，且算力密度高于5.92（例如：英伟达L40S）的芯片为最高性能芯片，最高性能芯片对华出口需要事先获得许可证。3) 当收到最终实体为中国大陆/中国澳门等区域企业的订单时，晶圆厂需要检视是否涉及使用/ 包含： ① 晶体管数量超过50billion（A100=54.2billion）和②HBM，这或直接影响国内AI 芯片在海外的流片。
　　3）美国商务部进一步将两家GPU 企业及其他公司共13 家列入实体清单。
　　半导体设备：进一步细化对光刻机等关键设备的参数限制相较于22 年10 月7 日的出口限制规则，这次主要细化了对光刻机等核心设备性能参数的限制，具体变化如下：1）对华出口DCO（套刻精度）≤1.5nm的光刻机（例如：ASML DUV2000 系列及所有EUV 光刻机）需要事先获得许可证，2）对华出口DCO 1.5nm＜DCO≤2.4nm 之间光刻机（例如 ASML1980i 系列），需要限定用途在先进工艺（14/16nm 及以下逻辑电路，128层及以上NAND，18nm 及以下DRAM）以外。3）限制SiGe:Si≥100：1的刻蚀设备，沉积钨的ALD，沉积钌的设备，指定参数的退火设备等。4）同时区分用于成熟工艺设备、部分后道设备不在限制范围内。是否会影响包括ASML(ASML US)对华光刻机出口有待ASML 进一步披露。
　　消费电子：直接影响有限，关注对核心零部件中长期供给带来的影响消费电子方面，我们认为此次新规的直接影响有限。中期来看，建议关注新政策对光刻机套刻精度的新规定和对先进制程设备的收紧，是否可能会给头部国产品牌手机的核心零部件供给，以及先进制程产能扩产带来新的难度，以及是否会间接对头部国产品牌手机出货量的预期造成一定程度影响。建议关注手机链中基本面复苏的标的，包括被动元器件、光学和手机芯片等。
　　风险提示：贸易摩擦风险，半导体周期下行，本研报中涉及到未上市公司或未覆盖个股内容，均系对其客观公开信息的整理，并不代表本研究团队对该公司、该股票的推荐或覆盖。
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

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