半导体行业点评：透视存储龙头业绩 算力需求仍为周期向上驱动力

　　事件：近期全球存储龙头海力士、三星相继发布4Q24 季报。海力士4Q24 实现营收19.8 万亿韩元，YOY+75%，QOQ+12%；三星存储业务4Q24 实现营收23.0 万亿韩元，YOY+46%，QOQ+3%。
　　数据中心市场构成主要需求增量，4Q24 收入维持高增。
　　海力士方面，4Q24 单季度收入19.8 万亿韩元创下新高，其中DRAM 收入占比74%，QOQ+5pct，bit 出货量QOQ 中个位数增长，ASP QOQ 增长10%；NAND 收入占比24%，出货量和ASP 均QOQ 中个位数下滑。海力士表示AI算力带来的存储需求贡献4Q24 主要增量，HBM 收入占DRAM 超过40%，eSSD 亦持续增长。
　　三星方面，其存储业务4Q24 收入23.0 万亿韩元同样创下新高，公司表示增长主要来自HBM 和DDR5，其中HBM 收入在4Q24 环增190%。
　　景气展望：传统存储阶段性回落，2Q25 有望呈现回暖拐点。
　　三星在业绩会上表示，4Q24 移动端市场和PC 市场客户库存调整幅度超出公司预期，叠加终端需求疲软，同步影响DRAM 和NAND 需求，展望2025 年预计1Q25 公司DRAM 产品的bit 出货将环比高个位数下滑，NAND 的bit 出货将环比双位数下滑，传统存储产品价格将继续下行。因此公司将在2025 年减少传统DRAM 和NAND 产品产出，并预计伴随移动端和PC 端库存调整完成，传统存储需求在2Q25 有望呈现回暖迹象。
　　海力士方面同样预期1Q25 DRAM 业务和NAND 业务的bit 出货量环比双位数下滑，但全年来看，预计2025 年DRAM bit 出货同比增长中高双位数，NANDbit 出货同比增长低双位数，PC/移动端市场均有望在2025 年录得增长。
　　数据中心DRAM/SSD 及HBM 构成2025 年主要增量。
　　除传统存储的周期复苏之外，AI 算力带来的数据中心存储需求仍将是存储厂商2025 年的主要增长动力，包括服务器DRAM、SSD 以及HBM。海力士表示2024年HBM 收入同比增长超过4.5 倍，eSSD 同比增长超过300%，并预计2025 年HBM 收入将有翻倍以上增长。三星预计2025 年HBM bit 产量同比翻倍增长，公司已向客户送样16Hi HBM3E 产品，并预计在2025 年下半年开始量产基于1c 工艺的HBM4 产品。
　　投资建议：传统存储周期触底在即，服务器存储需求持续增长，建议关注国产DRAM 龙头兆易创新，存储模组厂德明利、江波龙、佰维存储等。
　　风险提示：存储价格周期性波动；下游需求复苏不及预期；行业竞争加剧。
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

   【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

【广告】本文仅代表作者本人观点，与和讯网无关。和讯网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。邮箱：news_center@staff.hexun.com