2019年12月7日-11日,第65届国际电子器件大会(International Electron Devices Meeting, IEDM)在美国加州旧金山举行。鲸算科技战略投资的芯片研发平台闪亿,出席大会并发表了题为《Programmable Linear RAM: A New Flash Memory-based Memristor for Artificial Synapses and Its Application to Speech Recognition System》(可编程线性RAM:一种新的基于闪存的人工突触忆阻器及其在语音识别系统中的应用)的研究报告,与全球顶尖芯片研发机构与从业人员分享了存算一体化等热门话题与技术研究方向。
鲸算科技战略投资的闪亿在IEDM发表的论文
IEDM、VLSI与ISSCC并称微电子技术领域的“奥林匹克盛会”,是超大规模集成电路和半导体器件领域里最顶尖的国际会议之一,也是展现IC技术最新成果的橱窗。其中,IEDM每年都会吸引Intel、IBM、Samsung和TSMC等国际知名半导体公司在会议上发布各自最新研究进展。
此次大会提出了“Rest in Peace Moore’s Law,Long Live AI”的议题关注点 ,旨在探索半导体产业走出摩尔定律停滞困境的发展方向。与会专家表示,在人工智能迅猛发展的当下,传统的“冯·诺依曼架构”体系及“摩尔定律”受限于半导体“存储墙”现象,即计算速度和存储信息传递速度之间巨大的鸿沟,在大规模神经网络计算任务执行中捉襟见肘,使芯片在AI时代的数据洪流下效能下降。
如何优化芯片设计与革新架构,进而打破半导体应用“存储墙”现象?对此,会上鲸算科技战略投资的闪亿,首次提出基于双向Fowler-Nordheim隧穿的忆阻器,并将其命名为PLRAM。从效率上看,PLRAM具有高精度(8-10比特),高线性度,高能效的特点,可实现深度神经网络的模拟计算。从成本上看,由于存算一体化芯片本身具备SoC的集成特性,可以单芯片实现最简洁的嵌入式系统,因此PLRAM可极大地降低人工智能模块的成本。
闪亿研发工程师在演讲中提到,闪亿在存储计算阵列中模拟计算原理、可模拟编程线性忆阻器(PLRAM)、AI模型与存内计算指令集三项核心技术方面都已取得突破性的进展,并成功实现了相关产品的研发应用。2019年10月,闪亿推出首款忆阻器芯片“闪锌石”,实现在家电和物联网设备智能控制上的智能芯片研发应用,比如语音控制、手势控制、人像人脸识别等。并且该芯片还具有普惠优势,使用该芯片后,几乎所有的家电,如空调、冰箱、智能音箱、风扇等,实现了低成本使用人工智能模组。
相关资料显示,闪亿半导体由鲸算科技战略投资,成立于2017年7月,创始团队来自于北京大学和清华大学,公司致力于通过忆阻器芯片技术实现AI计算的革新。团队成员著有论文专利等约500篇,IEDM/VLSI/ISSCC约30篇。
数据显示,2020年AI芯片市场预计达到千亿量级,随着物联网时代的到来,海量的数据蜂拥而至。由于各种应用终端对于处理器的功耗和稳定性的要求越来越高,未来,效率更高、功耗更低的计算系统将会在各类智能场景中的应用大行其道。走在智能芯片领域前端,闪亿也将不断完善生态系统和进一步展开新技术的深入研究,在未来的智能芯片竞争格局中也将迎来新的发展机遇。
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