东微半导(688261)：乘新能源之风而上 功率器件底层技术创新者

投资亮点
首次覆盖东微半导（688261）给予跑赢行业评级，目标价355.00 元，基于2025 年35x P/E 折现。理由如下：
公司专注于硅基功率器件底层结构创新，主力产品超级结MOS 竞争力对标国际领先水平，主要覆盖工业及汽车级应用：我们认为，东微半导是一家专注于高性能功率器件底层创新的企业，拥有多项差异化设计及工艺专利，踏入行业较晚但战略定位清晰。目前，公司已在硅基超级结MOSFET 领域出货第四代产品，与英飞凌C7 产品线形成对标，服务工业电源、车载充电机、直流充电桩、光伏微逆等高端应用，收入体量大幅领先国内同业者。在硅基中低压屏蔽栅MOSFET 领域，公司已经实现工业、车规产品规模化销售，并有望拓展覆盖电压至200V 以上水平。
我们认为，当下硅基MOS 产品是公司主要的收入来源，也是公司持续推进高端相关产品国产替代，业绩呈现稳定增长的坚实保障。
拓宽赛道至IGBT 领域，并布局第三代化合物半导体市场。在市场空间更广阔的IGBT 领域，公司自主研发的三栅IGBT（TGBT）第一代产品已经实现大规模量产出货，多款第二代产品已经进入批量生产阶段，收入有望进入快速成长期。从饱和压降及关断损耗折衷情况来看，东微半导TGBT 产品表现优异，且得益于良好的产品性能指标，公司TGBT平均送样测试到批量交付时间仅为3-6 个月。我们认为，公司产品有望在工业控制、光伏及储能逆变器应用领域对英飞凌H5/S5，甚至第七代产品T7 进行快速替代；而得益于产品的较强市场竞争力，在产能逐步提升后，TGBT 相关收入有望迎来快速成长，获得大客户供货资格仅是时间问题。此外，公司碳化硅二极管产品已小批量出货，我们认为公司有望延续其在硅基功率半导体领域优秀底层设计能力，把握第三代化合物半导体在电力电子应用领域的发展浪潮，打开新的收入增长点。
我们与市场的最大不同？我们对公司中长期业绩成长加速更为乐观。
潜在催化剂：在消费类应用需求松动的背景下，相关代工厂产能可能会呈现结构性调整，公司专注工业及汽车级高端应用产品，有望超预期获得产能。
盈利预测与估值
我们预计公司22~23 年EPS 分别为4.18 元、5.77 元，CAGR 为63%。首次覆盖给予公司“跑赢行业”评级，目标价355.00 元，对应2025 年35x P/E折现（归母净利润8.2 亿元，股权成本9.4%），有42%上行空间。
风险
市场竞争风险；产品类别集中风险；公司技术研发进展不及预期风险；当下公司流通盘较小以及后续限售股解禁风险，具体内容详见风险提示章节。
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

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