东微半导(688261):乘新能源之风而上 功率器件底层技术创新者

2022-11-16 08:00:06 和讯  中金公司成乔升/李学来/贾顺鹤/彭虎
投资亮点
首次覆盖东微半导(688261)给予跑赢行业评级,目标价355.00 元,基于2025 年35x P/E 折现。理由如下:
公司专注于硅基功率器件底层结构创新,主力产品超级结MOS 竞争力对标国际领先水平,主要覆盖工业及汽车级应用:我们认为,东微半导是一家专注于高性能功率器件底层创新的企业,拥有多项差异化设计及工艺专利,踏入行业较晚但战略定位清晰。目前,公司已在硅基超级结MOSFET 领域出货第四代产品,与英飞凌C7 产品线形成对标,服务工业电源、车载充电机、直流充电桩、光伏微逆等高端应用,收入体量大幅领先国内同业者。在硅基中低压屏蔽栅MOSFET 领域,公司已经实现工业、车规产品规模化销售,并有望拓展覆盖电压至200V 以上水平。
我们认为,当下硅基MOS 产品是公司主要的收入来源,也是公司持续推进高端相关产品国产替代,业绩呈现稳定增长的坚实保障。
拓宽赛道至IGBT 领域,并布局第三代化合物半导体市场。在市场空间更广阔的IGBT 领域,公司自主研发的三栅IGBT(TGBT)第一代产品已经实现大规模量产出货,多款第二代产品已经进入批量生产阶段,收入有望进入快速成长期。从饱和压降及关断损耗折衷情况来看,东微半导TGBT 产品表现优异,且得益于良好的产品性能指标,公司TGBT平均送样测试到批量交付时间仅为3-6 个月。我们认为,公司产品有望在工业控制、光伏及储能逆变器应用领域对英飞凌H5/S5,甚至第七代产品T7 进行快速替代;而得益于产品的较强市场竞争力,在产能逐步提升后,TGBT 相关收入有望迎来快速成长,获得大客户供货资格仅是时间问题。此外,公司碳化硅二极管产品已小批量出货,我们认为公司有望延续其在硅基功率半导体领域优秀底层设计能力,把握第三代化合物半导体在电力电子应用领域的发展浪潮,打开新的收入增长点。
我们与市场的最大不同?我们对公司中长期业绩成长加速更为乐观。
潜在催化剂:在消费类应用需求松动的背景下,相关代工厂产能可能会呈现结构性调整,公司专注工业及汽车级高端应用产品,有望超预期获得产能。
盈利预测与估值
我们预计公司22~23 年EPS 分别为4.18 元、5.77 元,CAGR 为63%。首次覆盖给予公司“跑赢行业”评级,目标价355.00 元,对应2025 年35x P/E折现(归母净利润8.2 亿元,股权成本9.4%),有42%上行空间。
风险
市场竞争风险;产品类别集中风险;公司技术研发进展不及预期风险;当下公司流通盘较小以及后续限售股解禁风险,具体内容详见风险提示章节。
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(责任编辑:王丹 )

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