民德电子：今年计划量产的产品包括IGBT、FRD以及SiC器件等产品

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民德电子：今年计划量产的产品包括IGBT、FRD以及SiC器件等产品：民德电子接受机构调研时表示，新产品方面，公司控股的功率半导体设计公司广微集成，去年在12英寸晶圆代工厂开发的SGT-MOSFET产品，60V系列产品已量产，80V、100V系列产品已完成工程批并预计今年上半年量产，如进展顺利，下半年将启动150V、200V产品开发工作，今年SGT-MOSFET产品有望为广微集成贡献显著收入增长；此外，伴随广芯微电子通线投产，今年还计划量产的产品包括：900-1500V高压MOS、IGBT、FRD以及SiC器件等产品。