3月31日，据台湾《经济日报》报道，三星已支出约2000亿韩元，准备开始生产碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）半导体，用于电源管理IC，而且计划采用8英寸晶圆来生产这类芯片，跳过多数功率半导体业者着手的入门级6英寸晶圆

2023-03-31 15:25:34 和讯周文凯

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3月31日，据台湾《经济日报》报道，三星已支出约2000亿韩元，准备开始生产碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）半导体，用于电源管理IC，而且计划采用8英寸晶圆来生产这类芯片，跳过多数功率半导体业者...

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3月31日，据台湾《经济日报》报道，三星已支出约2000亿韩元，准备开始生产碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）半导体，用于电源管理IC，而且计划采用8英寸晶圆来生产这类芯片，跳过多数功率半导体业者着手的入门级6英寸晶圆。据韩媒TheElect援引消息人士称，上述的支出金额显示三星可能已经生产这类第三代半导体的原型。（界面新闻）

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（责任编辑：周文凯）

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3月31日，据台湾《经济日报》报道，三星已支出约2000亿韩元，准备开始生产碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）半导体，用于电源管理IC，而且计划采用8英寸晶圆来生产这类芯片，跳过多数功率半导体业者着手的入门级6英寸晶圆

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