中微公司(688012)：刻蚀薄膜逐步突破卡位环节 多箭齐发助力平台化

　　本报告导读：
　　受益于刻蚀/薄膜设备的持续突破，业绩持续高增。CCP 刻蚀已突破超高深宽比刻蚀等卡位环节，LPCVD/ALD 等薄膜设备已进入产线，多箭齐发，成长空间巨大。
　　投资要点：
　　维持“增持”评 级，维持目标价194.48元。公司刻蚀设备突破大马士革刻蚀工艺和超高深宽比刻蚀，并实现逻辑和存储先进工艺产线的＞90%覆盖，业绩有望维持高增，维持2023-2025 年EPS 为2.86/3.19/4.13 元。考虑到半导体设备国产化率持续提升，给予2024年61 倍PE，维持目标价194.48 元。
　　受益于刻蚀/薄膜设备的持续突破，业绩持续高增。23Q2 公司营收13.03 亿元，YOY+27%，QOQ+7%；实现归母净利润7.28 亿元，YOY+107%，QOQ+165%。23Q2 存货38.1 亿元持续增长，合同负债18 亿元略有下降。归母净利润的高增主要因为23H1 出售了部分拓荆公司股票，产生税后净收益约4.06 亿元。
　　CCP 刻蚀突破All-in-one 大马士革刻蚀工艺和超高深宽比刻蚀等卡位环节，ICP 刻蚀均匀性达到原子水平加工，均即将实现逻辑/Memory-1/Memory-2 工艺产线全覆盖。根据公司公开介绍，在国内某先进逻辑产线中，CCP 市占率将从24%增长到＞60%，ICP 市占率将从0%增长到75%。在国内某先进存储研发线中，CCP 市占率将从35%增长到85%，ICP 市占率将从9.6%增长到65%。
　　薄膜沉积设备从MOCVD 出发，逐步拓展至LPCVD、EPI 和ALD领域。LPCVD 中W-CVD 只用18 个月开发即顺利进入生产线，此外还有极高深宽比W 填充和ALD-W 横向填充达到国际先进水平。
　　风险提示：半导体国产化不及预期；产品验证不及预期。
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

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