科技行业专题研究：存储：底部已过 AI推动行业进入新周期

　　周期拐点将至叠加AI 需求催化，关注存储赛道投资机会
存储是数字经济发展的基石，作为典型的周期成长行业，我们认为存储正处于新一轮成长的黎明期：1）周期方面，经过2021 年末起7 个季度的下行期后，当前存储产品价格已呈现筑底态势，叠加存储原厂减产、下游库存水位持续修正，我们认为目前行业已处于周期底部，下半年需求有望逐步回暖；2）创新方面，AI 高速发展推动HBM 为代表的高性能存储器需求快速增长，我们测算HBM 市场24 年将达64 亿美金，AI 有望开启存储成长新篇章；3）中美摩擦背景下，中国企业级存储市场国产化需求迫切，信创市场国产厂商大有可为。我们建议关注国产存储模组、封测以及配套芯片厂商的投资机遇。
　　周期：筑底信号显著，AI 驱动单机密度提升，23 年下半年起有望逐步回暖供给端，原厂稼动率与资本开支大幅缩减，我们预计下半年开始减产效果将更加显著，预计23/24 年DRAM 与NAND bit 供给增速分别为4.6%/8.0%与6.7%/14.8%。需求端，23 年各终端整体疲软态势持续，24 年有望在手机终端需求复苏、手机与服务器单机密度持续提升下带动整体需求回暖，我们预计23/24 年DRAM 与NAND bit 需求增速分别为8.1%/14.4%与9.6%/20.0%。存储价格也已筑底，CFM 报价显示部分品类价格已出现上涨，存储周期拐点将近，下半年市场回暖有望开启新一轮上行。我们预计24 年全球存储市场规模将同比增长38%（2023E：-42%）至1105 亿美元。
　　创新：AI 催化HBM 需求快速增长，为服务器市场带来增量空间AI 带动的算力需求快速增长需要存储芯片进行容量与带宽上的配套，GDDR 方案带宽迭代速度已难以满足，而带宽更高的HBM 方案有望加速增长，我们预计HBM 将在24/25 年后成为市场主流。受AI 服务器销量增长、单服务器HBM 容量提升驱动，我们测算HBM 市场规模将从22 年的15 亿美金增长至24 年的64 亿美金，对应107%的22-24 CAGR；AI 服务器存储市场规模将从22 年的106 亿美金增长至24 年的151 亿美金，对应19%的22-24 CAGR。目前海力士已量产HBM3，并率先向英伟达H100 供应，三星将于2H23 量产HBM3，美光预计24 年量产HBM3。
　　国产化：存储IDM 原厂持续国产化，带动本土产业链成长国内存储IDM原厂为长鑫存储与长江存储，两家公司分别在DRAM与NAND技术追赶上进展迅速，长鑫23 年DRAM 已突破17nm，长江存储NAND 布局上推进至232 层，逐步向海外主流水平靠近。据IDC 数据，长鑫与长存在DRAM 与NAND 上市占率从2020 年的0.3%与1.0%上升至2022 年的1.8%与3.5%，我们预计未来国产化水平将继续提升。原厂颗粒国产化将有助于培养本土供应链，为下游模组厂商带来产业集群以及成本上的优势，推进模组厂商的国产替代。国产利基存储厂商也将同步受益，在汽车、工业与物联网设备等长尾领域持续渗透。
　　周期反转下，建议关注顺序为模组与封测、配套芯片、利基存储设计周期反转后景气度将逐步沿产业链向上传导，我们预计23H2 或24 年周期上行后，模组与封测环节将率先受益，迎来估值倍数与业绩增速提升的戴维斯双击，产业链公司包括：江波龙、佰维存储、朗科科技、德明利等；模组环节库存水平正常化后将拉动配套芯片需求，相关公司包括：澜起科技、国科微、联芸科技（未上市）、得一微（未上市）；利基存储设计环节相关公司包括：兆易创新、北京君正、聚辰股份、东芯股份、普冉股份、恒烁股份。
　　风险提示：下游需求复苏不及预期风险；国产存储供应链技术进展不及预期风险；地缘政治风险；宏观经济波动风险；本研报中涉及到未上市公司或未覆盖个股内容，均系对其客观公开信息的整理，并不代表本研究团队对该公司、该股票的推荐或覆盖。
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

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