国产替代板块系列报告：晶圆厂龙头先进制程突破在即 半导体材料国产化超预期

　　本报告导读：
　　逻辑龙头厂突破先进制程，两大存储厂释放积极信号，晶圆厂订单有望逐季度向上，持续看好半导体设备和材料的国产替代。
　　摘要：
　　逻辑龙头厂突 破先进制程，两大存储厂释放积极信号，晶圆厂订单有望逐季度向上。根据Gartner 的数据，全球晶圆厂的总投资在2023年见底，之后逐年递增，预计2027 年总投资金额达到1681.65 亿美元，23-27 年CAGR 为5.4%。而国内之前由于科技制裁以及行业景气度低迷的问题，晶圆厂新增投资持续延迟，但目前逻辑龙头厂先进制程逐步突破，DRAM 和NAND 两大晶圆存储厂也在释放积极信号，据中微公告，60：1 高深宽比刻蚀设备已经突破，可帮助NAND 厂实现更高层NAND 突破。受益于三大厂的积极进展，晶圆厂订单有望开始反转，逐季度向上。
　　晶圆厂先进制程突破节奏加速，有助于推进半导体材料在先进领域的持续突破。半导体材料各大细分领域均被国外企业垄断，CMP 材料海外前七大公司占90%，掩模版、抛光垫、光刻胶国产化率均不足10%。1）根据安集公告，在铜及铜阻挡层抛光液方面，公司紧跟先进制程，部分产品在重要客户端完成验证；在钨抛光液方面，多款钨抛光液在逻辑芯片的成熟制程和先进制程完成验证，部分客户开启量产阶段；在基于氧化铈磨料的抛光液方面，公司已经实现在3DNAND 先进制程中的量产并在逐步上量。2）根据鼎龙公告，在抛光垫外，公司多线布局多晶硅制程、金属铜制程、金属铝制程、阻挡层制程、金属钨制程、介电层制程等CMP 抛光液产品，部分产品已实现规模化销售，其他制程产品覆盖全国多家客户进入关键验证阶段。
　　海外存储三大厂减产确立供给侧周期，Dram/Nand 等产品价格逐步开始反弹，拐点有望确立，景气度的改善有助于推动国内存储厂的扩产。受美光、三星、海力士三大厂的持续减产效果驱动，原厂库存压力得到释放，加上制程切换以及新产品切换，令部分存货成品供不应求，整体颗粒和模组价格均有所反弹。最新部分报价延续涨价趋势，DDR4 涨幅明显，16Gb 3200/16Gb eTT/8Gb 3200/8Gb eTT 分别涨至2.55/2.25/1.39/1.15 美元， 1Tb QLC/1Tb TLC/512Gb TLC/256Gb TLCFlash Wafer 最新价格为3.40/3.67/1.84/1.13 美元。
　　逻辑龙头厂突破先进制程，两大存储厂释放积极信号，晶圆厂订单有望逐季度向上，持续看好半导体设备和材料的国产替代。推荐先进设备/材料产业链：拓荆科技、中微公司、芯源微、北方华创；相关受益公司微导纳米、广钢气体、安集科技、鼎龙股份、中科飞测。
　　风险提示。中美科技摩擦反复；产品进度不及预期。
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

   【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。