电子行业：看好存储厂商潜在扩产带来的上游业绩弹性

国内存储产能占比低，投入确定性强。全球芯片制造产能中，存储芯片占比超30%，存储芯片产线建设是半导体设备需求的主要来源之一。存储芯片产品标准化程度高、规模效应显著，国内在DRAM、3D NAND 领域份额占比仅低个位数。且国内存储领域技术差距与海外持续缩小：DRAM 领域，长鑫存储已达到1Xnm（16nm-19nm）阶段，与国际先进水平相比，虽然仍存在一定差距，但差距近年来逐步缩小；NAND 领域，长江存储2022 年推出232 层产品已比肩国际一线大厂。
目前国内存储厂商亟需在提升技术实力的同时扩大产能提升竞争力，未来资本开支投入的确定性强。
3D NAND 堆叠层数增加拉动刻蚀及薄膜沉积设备需求。集成电路2D 存储器件的线宽已接近物理极限， NAND 闪存已进入3D 时代。3D NAND 制造工艺中，增加集成度的主要方法不再是缩小单层上线宽而是增加堆叠的层数，当前叠堆层数正从96/128 层向200 层以上发展，层数增加导致晶圆厂对刻蚀设备需求量上升。根据东京电子统计，刻蚀设备占FLASH 芯片产线资本开支比例从2D 时代的15%增长至3D 时代的50%。此外，3D 工艺下，刻蚀要在氧化硅和氮化硅一对的叠层结构上，加工40：1 到60：1 的极深孔或极深的沟槽，3D NAND 层数的增加要求刻蚀技术实现更高的深宽比。
中微公司高深宽比刻蚀技术持续取得突破。在存储器件中，极高深宽比刻蚀是最为困难和关键的工艺，是在多种膜结构上，刻蚀出极高深宽比（>40：1）的深孔/深槽。公司自主开发了极高深比刻蚀机，该设备用400KHz 取代2MHz 作为偏压射频源，以获得更高的离子入射能量和准直性，使得深孔及深槽刻蚀关键尺寸的大小符合规格。
薄膜沉积设备在存储中应用众多，拓荆科技国内领先。拓荆科技自2010 年成立就开始研制薄膜沉积设备中的最大的设备类别PECVD 设备，在PECVD 设备技术领域具有十余年的研发和产业化经验，并形成了覆盖全系列PECVD 薄膜材料的设备，有望持续受益国内下游客户扩产。
我们看好国内存储产业链潜在扩产带来的上游业绩弹性：
设备环节建议关注：中微公司、拓荆科技、北方华创、精测电子、华海清科、芯源微、盛美上海、中科飞测-U、万业企业
材料环节建议关注：鼎龙股份、安集科技
封测环节建议关注：万润科技、佰维存储
风险提示
下游资本开支不及预期、国产化率不及预期、竞争格局恶化、地缘政治风险
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

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