国产替代核心技术系列：极高深宽比刻蚀研发验证稳步推进 支撑3DNAND产业升级

核心观点：
存储器架构从二维向三维转变，带来刻蚀设备用量提升。目前提升存储器件集成度的主要方法不再是缩小单层上线宽，而是增加堆叠的层数。在3D NAND 中，垂直堆叠的存储单元层通过垂直通孔相互连接，存储容量随着堆叠层数的增加而增加。目前3D NAND 最多可以堆叠至232 层。3D NAND 中垂直通孔、侧面阶梯、多层触点等复杂的三维结构需要大量刻蚀工艺环节，相比于2D NAND，对刻蚀设备的需求比例显著加大。
高深宽比刻蚀是3D NAND 工艺中的核心技术，堆叠层数增加给极高深宽比刻蚀带来挑战。高深宽比刻蚀是3D NAND 制造中最核心的技术，主要用于形成层间垂直通孔、狭缝和多层触点等结构。随着3D NAND 堆叠层数不断增加，刻蚀深度加深，深宽比增加，刻蚀工艺难度也不断提升。深宽比在40：1 以上的极高深宽比刻蚀面临着刻蚀速率降低、弓形弯曲、扭曲等挑战，对刻蚀设备的性能指标提出了更高的要求，需要刻蚀设备具有更大的等离子体密度、更高的离子溅射、更高的工艺气体流速、更长的工艺时间和更低的压力。
中微公司布局极高深宽比刻蚀产品，深宽比不断提升。目前，中微公司是国内配套高深宽比工艺的主要设备供应商，公司自主开发了极高深比刻蚀机，该设备用400 KHz 取代2 MHz 作为偏压射频源，以获得更高的离子入射能量和准直性，使得深孔及深槽刻蚀关键尺寸的大小符合规格。未来，伴随相关工艺技术验证的推进和下游客户产能的扩张，公司有望充分受益于3D NAND 对高深宽比刻蚀工艺需求的提升。
投资建议。高深宽比刻蚀是3D NAND 的核心技术环节。随着本土晶圆产能的持续扩张，国产半导体设备厂商有望依托自身的产品竞争力、广阔的份额增长空间和品类扩张能力，加速提升相关领域的国产替代份额。建议关注在高深宽比刻蚀领域处于国内领先地位的中微公司。
风险提示。下游扩产不及预期；国产厂商技术研发不及预期；零部件供应风险。
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【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

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