东微半导(688261):3Q业绩筑底明确 坚定推进技术产品差异化

2023-11-03 14:40:08 和讯  中金公司成乔升/张怡康/石晓彬/彭虎
  3Q23 业绩低于我们预期
  公司公布3Q23 业绩:单季度实现营业收入2.4 亿元,同比下滑26.8%,环比增长2.6%;毛利率18.1%,同比下滑16.0ppts,环比下滑2.5ppts;归母净利润3,151 万元,同比下滑62.2%,环比增长8.6%;扣非后净利润2,603 万元,同比下滑67.4%,环比提升3.5%,整体业绩低于我们预期,我们认为主要原因是公司高压超级结产品销售价格持续承压所致。
  发展趋势
  高压超级结产品市场需求调整叠加竞争加剧,公司通过主动降价策略力保份额,毛利率筑底趋势已经明确。今年以来,面临下游充电桩、工业及通信电源领域应用客户库存去化,以及相关超结产品同质化竞争,东微主力产品市场环境面临一定压力。但公司积极面对市场变化,主动采取价格产品价格调整策略,力保自身市场份额。从高压超级结产品出货量角度来看,公司3Q23 同比依然实现增长,但由于产品定价低于我们预期,导致公司业绩表现略逊。展望4Q,我们认为随晶圆产能紧张缓解,上游代工成本下降利好逐渐传导至公司财务表现,公司主力超级结产品毛利率有望实现触底回升。
  虽然短期收入增长承压,但研发持续投入,坚持技术创新和差异化产品战略,聚焦高压大电流芯片市场。公司年初至三季度末已累计投入研发费用达5,982 万元,同比增长65.8%,3Q23 单季研发费用达2,039 万元,研发费用占比8.6%,位于功率半导体企业同行中前列。根据公司半年报披露,公司主营高压超级结MOSFET 产品8 寸转12 寸工艺平台拓展工作基本完成,第四代超级结产品量产出货,第五代产品试产成功同时进入小批量交付阶段;自主TGBT 方面,第二代TGBT 产品量产并批量导入客户,同时第三代TGBT 产品研发顺利;在SiC 方面,公司自主研发的第一代 SiCMOSFET 研发也在稳步推进中,且自主开发的 SiC JBS/MPS 产品已实现小批量量产,2023 年上半年新获得两项发明专利。
  盈利预测与估值
  由于市场竞争格局加剧,公司超级结相关产品定价持续承压,我们下调公司2023/24 年收入预测10%/11%至10.2/13.6 亿元,下调2023/24 年净利润预测18%/19%至1.7/2.7 亿元。但是我们依然看好公司坚持技术创新,瞄准IGBT、SiC 产品差异化战略为其中长期带来的成长空间。维持对公司的跑赢行业评级,下调目标价27%至人民币117.00 元,对应30x 2025 年P/E(考虑到行业竞争加剧影响盈利成长,下调估值目标倍数,以9.6%股权成本折现)。公司当前股价交易于47x/28x 2023/24 年P/E,有44%上行空间。
  风险
  高压超级结产品竞争格局持续加剧;公司新产品研发量产进度不及预期。
【免责声明】本文仅代表第三方观点,不代表和讯网立场。投资者据此操作,风险请自担。
(责任编辑:王丹 )

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