电子行业专题：芯片制造核心瓶颈环节 光刻机国产替代加速推进

　　光刻机是芯片制造核心设备，对制程升级发挥关键作用：
　　在芯片制造过程中，光刻工艺是最关键的一步，能够将图案从光掩模高精度地转移到衬底（通常是硅片）上。芯片工艺升级的主要目标之一是在半导体器件上实现更小的特征尺寸，具有先进技术的光刻机，如极紫外（EUV）光刻，允许更短的光波长，从而能够创建更小的图案并实现更高的分辨率，对芯片制程升级发挥关键作用。DUV 光刻机通过多重曝光最高实现7nm 制程，而波长更短的EUV 光刻机可以实现5nm 及以下制程。
　　全球光刻机市场超过200 亿美元，ASML 垄断高端市场：
　　2022 年全球光刻机市场超过200 亿美元，ASML、Canon、Nikon 三大巨头垄断了大部分市场份额，光刻机营收分别达到了161 亿美元、20 亿美元、15 亿美元，市场份额分别为82%、10%、8%。在超高端的EUV 光刻机上，基本上ASML 处于垄断地位。
　　国产28nm immersion 式光刻机实现突破：
　　国产光刻机在技术节点上与国际厂商相比仍有差距，其中上海微电子是国内光刻机龙头企业，其SSX600 系列光刻机可满足IC 前道制造90nm、110nm、280nm 关键层和非关键层的光刻工艺需求，可用于8 寸线或12 寸线的大规模工业生产。在之前90nm 的基础上，上海微电子即将量产28nm immersion 式光刻机，在2023 年交付国产第一台SSA/800-10W 光刻机设备。
　　国内厂商在多个光刻机零部件环节实现突破：
　　全球光刻机零部件市场规模约124 亿美元，在零部件市场上，国内厂商已经在多个环节实现突破。茂莱光学研发的DUV 光学透镜已应用于SMEE 国产光刻机中，公司半导体检测设备光学模组供货KLA，公司投影镜分辨率达到30nm 以下，而国外的ZEISS 分辨率小于0.25nm；目前针对EUV 光源，国内也有研究机构取得一定进展。早在2017 年，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所的“极紫外光刻关键技术研究”获得国家02 专项的验收，从而推进了我国对EUV 的技术研发；福光股份有望为光刻机等领域提供高精密光学镜头及光学系统；苏大维格向SMEE 提供定位光栅部件，公司光栅尺周期精度小于1nm，且公司纳米压印技术国内领先；而　　光学晶体方面，福晶科技可供货LBO 晶体、BBO 晶体、Nd:YVO4 晶体、磁光晶体；激光器方面，炬光科技提供的光源不均匀度控制在1%以下，国外FLSBA 的光源不均匀度在3%~5%；晶方科技子公司控制的Anteryon 为全球同时拥有混合镜头、晶圆级微型光学器件工艺技术设计、特性材料及量产能力的技术创新公司，其产品可广泛应用于半导体精密设备，目前为ASML 持续供货。奥普光电为国内高端光栅编码器龙头，公司光栅编码器（用于测量对准精度）精度为1um/m，国外海德汉公司精准度为3um/m。
　　投资建议：
　　光刻机是“工业王冠上的宝石”,是芯片制造中最复杂、最昂贵的设备，国产替代势在必行，推荐炬光科技（688167）、晶方科技（603005）;建议关注茂莱光学（688502）、福晶科技（002222）；光刻机光学镜头关注福光股份（688010）；光刻机光源系统关注波长光电（301421），奥普光电（002338）；合分束器关注腾景科技（688195）;温控设备推荐同飞股份（300990）;陶瓷零部件推荐中瓷电子（003031），建议关注旭光电子（600353）；直写光刻设备建议关注芯碁微装（688630）、苏大维格（300331）等。
　　风险提示：
　　研发技术风险、运营资金风险、市场价格变动风险、供应链存在的风险、政策风险。
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

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