【三星考虑将MUF技术应用于服务器DRAM内存】据报道，三星正考虑在其下一代DRAM中引入模压填充（MUF）技术。最近，三星对一种用于3D堆叠（3DS）内存的MR MUF工艺进行了测试，发现相比于TC NCF技术，虽然吞吐量有所提升，但物理特性有一定程度的恶化。经过测试，三星得出结论称，MUF技术不适用于高带宽内存（HBM），但非常适合3DS RDIMM。目前，3DS RDIMM主要用于服务器，采用硅通孔（TSV）技术制造。
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