美光HBM3E惊艳登场，低功耗引领AI存储市场，三星12层HBM3E刷新技术峰值

在AI技术的推动下，HBM内存芯片成为存储行业的新宠，三家顶尖存储芯片公司——SK海力士、美光、三星——正为争夺这一市场展开激烈竞争。

2月26日，美光宣布其最新的HBM3E产品将应用于英伟达H200，该产品因功耗比同行低30%而备受瞩目。同日，SK海力士宣布其2024年的HBM产能已被预订一空，显示出市场需求的旺盛。紧接着，三星也展示了其首创的12层堆叠HBM3E，容量达到36GB，再次刷新了HBM技术的新高度。

HBM内存芯片之所以受到如此重视，是因为它不仅内存带宽更大，还能有效配合GPU和CPU，成为AI大模型推理和训练的理想选择。过去一年，HBM因产能紧缺和产品价格上涨而备受关注。英伟达在AI市场的领先地位，部分得益于其对HBM技术的掌握。

HBM技术的发展始于SK海力士在2013年的突破，当时该公司开发出TSV技术并应用于DRAM。此后，三星紧随其后，也开始推进HBM技术的研发。至今，HBM已经经历了五代产品迭代，成为AI时代的关键技术。

在这场技术竞赛中，美光采取了直接跳过早期产品，全力开发HBM3E的策略，计划在2024年开始发货。韩国政府为了支持HBM的发展，甚至将其定为国家战略技术，提供税收减免。

HBM不仅为存储芯片公司带来了新的增长点，也改变了它们的财务状况。SK海力士凭借HBM实现了销量的五倍增长，股价也创下新高。美光和三星也不甘落后，纷纷扩大产能，以应对市场需求。

英伟达在这一过程中扮演了重要角色，为了保证未来的供应，英伟达向SK海力士和美光预付了大量资金。三家公司为了抓住AI技术带来的红利，不惜投入重金，全力以赴。

随着AI时代的深入，HBM技术的竞争将更加激烈，而这三家存储芯片公司无疑将成为市场的主导者。