“AI的裂变时刻”系列报告4：GTC发布BLACKWELL GPU COWOS+HBM升级带动算力大幅提升

　　核心观点：
　　NVIDIA GTC 2024 发布Blackwell GPU，CoWoS+HBM 升级带动算力大幅提升。根据NVIDIA 官网信息，3月18 日，NVIDIA GTC 2024 开幕，英伟达CEO 黄仁勋发表了演讲，首次展示了Blackwell 平台。Blackwell GPU包含2080 亿个晶体管，采用定制的台积电4NP 工艺制造，由两个尺寸接近掩模版极限的GPU 芯片组成，通过10 TB/s 的芯片到芯片链路连接到单个统一的GPU 中，并配备8 个HBM3E 内存，HBM 容量为192 GB，内存带宽达8 TB/s。Blackwell GPU 的AI 性能是上一代Hopper 的5 倍，片上存储容量是Hopper 的4 倍。
　　CoWoS 持续向更大封装尺寸演变，推动芯片算力和HBM 容量提升。在过去十年间，CoWoS-S 技术已经迭代了五代，在中介层尺寸、可容纳晶体管数量及HBM 数量、电源完整性和信号完整性等方面都有了显著的进步。
　　目前，第五代CoWoS-S 已经可以实现四个掩模版拼接，中介层达到3 倍掩模版尺寸（~2600 mm2）。但是当CoWoS-S 扩展至4 倍掩模版尺寸，即12 个HBM 时，复杂的多掩模版拼接在技术和产量上都具有很大的挑战性，大尺寸的硅中介层也面临着良率问题。台积电开发了CoWoS-L 以解决大尺寸硅中介层中的技术瓶颈和良率问题。
　　HBM 配置不断升级，持续向更高带宽、更大容量发展。HBM 是NVIDIA 数据中心GPU 最重要的升级方向之一。
　　CoWoS 工艺的进步使得中介层尺寸不断扩展，允许封装更多的HBM，以提升内存容量和带宽。HBM 持续向更高带宽、更大堆叠高度、更大DRAM 存储密度发展，层间互连技术是HBM 制造工艺最重要的进步方向之一。
　　目前热压键合是HBM 堆叠键合的主要技术方案。混合键合可以实现铜对铜直接互连，能够降低堆叠厚度，提升互连密度，有望成为下一代HBM 的关键技术。
　　投资建议。AI HPC 推动先进制造及先进封装技术不断迭代进步。国产半导体产业链相关公司有望加速追赶海外先进公司，提升国产替代份额。建议关注半导体设备北方华创、中微公司、拓荆科技、华海清科、盛美上海、芯源微等；先进封装通富微电、长电科技、甬矽电子等；半导体材料鼎龙股份、雅克科技、安集科技、艾森股份等。
　　风险提示。行业周期波动风险；AI 行业发展不及预期；供应链风险。
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

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