台积电创新专利助力半导体行业突破，提升市场竞争力

2024年4月8日，台湾积体电路制造股份有限公司(台积电)成功取得了一项名为“制造半导体器件的方法及半导体器件”的专利，授权号为CN113299743B，申请日期为2021年1月。

该专利技术的核心在于实现在外延源极/漏极部件的部分上方形成硅化物层，从而提升半导体器件的性能与稳定性。专利详细描述了包括半导体衬底、外延源极/漏极部件、介电层等多个结构层的组合，以及在这些层中进行的蚀刻、硅化物层形成和导电阻挡层的构建等关键步骤。

此外，该专利还涉及对导电阻挡层应用等离子体清洁工艺，以进一步优化器件性能。这一创新技术有望为半导体行业带来新的突破，提高台积电在市场中的竞争力。