三星：2030年目标推出1000层3DNAND新材料，美光广岛新厂2027年底运营

快讯正文

【三星计划至2030年推出1000层3DNAND新材料】三星电子宣布，其目标是在2030年前推出采用1000层3DNAND技术的新材料，以进一步推动存储技术的边界。

【超微3纳米晶圆代工有望交付三星】市场消息透露，超微半导体公司正考虑将其3纳米晶圆代工业务交由三星电子处理，此举可能加强两家公司在先进制造技术领域的合作。

【美光计划在广岛建立新芯片厂，预计2027年底运营】美光科技宣布，将在日本广岛建立新的芯片制造厂，预计最快于2027年底开始运营，以扩大其在亚洲的生产能力。

【国家大基金三期或将投资人工智能半导体关键领域】业内消息人士称，国家大基金三期有望投资于高带宽内存（HBM）产业等人工智能半导体关键领域，这可能加速国内半导体技术的发展。

【裕太微预计2025年推出车载以太网交换机芯片】裕太微电子宣布，预计在2025年初推出其首款车载以太网交换机芯片，这将增强公司在汽车电子市场的竞争力。

【兴森科技(002436)的FCBGA封装基板适用于HBM存储封装】兴森科技确认，其FCBGA封装基板技术可用于高带宽内存（HBM）的封装，显示公司在高端封装材料领域的技术实力。

【帝尔激光(300776)的TGV激光微孔设备应用于多个封装领域】帝尔激光透露，其TGV激光微孔设备已成功应用于半导体芯片封装及显示芯片封装等多个领域，展示了公司在激光微加工技术方面的领先地位。

【东南大学成立器官芯片研究院】东南大学近日成立了器官芯片研究院，专注于开发和应用器官芯片技术，这标志着在生物医学工程领域的一项重要进展。