存储芯片周度跟踪：24Q1全球 DRAM环比+8.7% 预期 2025HBM生产量翻倍

　　核心观点
　　NAND：NAND 颗粒市场价格小幅波动， NAND 涨势或可持续至2025 上半年。根据DRAMexchange，上周（0527-0531）NAND 颗粒22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-4.73%至4.13%，平均涨跌幅为-0.59%。其中9 个料号价格持平，5 个料号价格上涨，8 个料号价格下跌。根据CFM 闪存市场报道，慧荣表示NAND Flash 涨势可望持续到2025 年上半年，另外产能增加需6 个月时间才会看到成果，因此2025 年下半年整体供给量能才会上升。
　　DRAM：颗粒价格小幅波动，Q1 全球DRAM 市场规模187.56 亿美元，环比增长8.7%。根据DRAMexchange，上周（0527-0531）DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.34%至-0.07%，平均涨跌幅为-0.51%。上周0 个料号呈上涨趋势，18 个料号呈下降趋势，0 个料号价格持平。根据CFM 闪存市场报道，一季度全球DRAM 市场规模187.56 亿美元，环比增长8.7%，同比增长96.5%.受益于DRAM 价格的全面回升，以及HBM、DDR5 等产品的出货增长，原厂DRAM 营收继续保持增长势头。
　　HBM：HBM 随着NVIDIA GPU 平台推进，2025 年HBM 生产量预期也将翻倍。根据TrendForce 集邦咨询研究，HBM 随着NVIDIAGPU 平台推进，H100 主搭载80GB 的HBM3，至2025 年的B200 将达搭载288GB 的HBM3e，单颗搭载容量将近3～4 倍成长。而据三大原厂目前扩展规划，2025 年HBM 生产量预期也将翻倍。
　　市场端：渠道和行业部分SSD 价格小幅下调。上周（0527-0531）eMMC 价格小幅下跌，UFS 价格持平。根据CFM 闪存市场报道，现货嵌入式市场方面，原厂稀缺资源供应持续紧张，相关资源制成的eMMC/UFS 价格依然较高。不过部分现货供应端增加多叠die 方案并应用其他资源来保障供应，令同容量下部分嵌入式价格出现波动，本周部分eMMC 价格小幅下调以反映市况波动，同时市场也正在消耗低容量资源库存，后续原厂供应态度是关键。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM 需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。
　　风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

   【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。