电子行业存储芯片周度跟踪：大厂NAND开工率升至70% SK海力士3D DRAM良率尚佳

　　核心观点
　　NAND：NAND 颗粒市场价格小幅波动，NAND 生产开工率上升带动韩国半导体材料供应商业绩增长。根据DRAMexchange，上周（0624-0628）NAND 颗粒22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.72%至0.13%，平均涨跌幅为-0.33%。其中7 个料号价格持平，3 个料号价格上涨，12 个料号价格下跌。根据CFM 闪存市场报道，去年，由于需求低迷，三星电子和SK 海力士将NAND 工厂的开工率降至20-30%，今年开工率已上升至70%以上。Soulbrain 和WonikMaterials 等韩国供应商已经扩大了供应能力，以满足4 月份开始量产的三星第9 代NAND 所需材料日益增长的需求。
　　DRAM：颗粒价格小幅波动，SK 海力士3D DRAM 制造良率曝光。
　　根据DRAMexchange，上周（0624-0628）DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.11%至1.87%，平均涨跌幅为-0.02%。上周8 个料号呈上涨趋势，9 个料号呈下降趋势，1 个料号价格持平。根据CFM 闪存市场报道，SK 海力士称其5 层堆叠的3D DRAM 的制造良率已达56.1%，实验性的3D DRAM 显示出与目前使用的2D DRAM相似的特性。与2D DRAM 的稳定运行不同，3D DRAM 表现出不稳定的性能特征，需要堆叠32-192 层存储单元才能实现普遍使用。
　　HBM：ASMPT 与美光联合开发下一代HBM4 键合设备，HBM 产能增长推动热压键合机市场需求增长。根据CFM 闪存市场报道，韩国后端设备制造商ASMPT 向美光提供演示热压(TC)键合机，双方已开始联合开发下一代键合机，用于HBM4生产。韩国半导体设备公司生产的热压键合机订单量因三星电子和SK 海力士增加其高带宽内存（HBM）生产而迅速增加。
　　市场端：价格处于底部盘整阶段。上周（0624-0628）eMMC 价格下降3.75%，UFS 价格持平。根据CFM 闪存市场报道，存储现货渠道市场买卖情绪低迷，价格处于底部盘整阶段。部分渠道厂商为追逐流水纷纷抢单，现货渠道市场倒挂形势依然严峻；另外，部分原厂品牌采取低价策略加速成品出货以实现利润增长，但由于目前渠道价格仍居低位，议价空间小，本周渠道SSD 和内存价格维持不变。本周存储行业SSD 和内存条价格维持稳定。工控端SSD 有小单询价，价格未出现过度波动；行业内存条终端谨慎拿货且报价低，供应端出货意愿不强，整体需求依旧不佳。现货嵌入式方面，本周部分大容量eMMC 及LPDDR 价格小幅下跌。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM 需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。
风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

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