复旦大学：二维闪存技术突破，良率超 98%

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【复旦大学团队在二维闪存技术获重大突破】8 月 13 日电，复旦大学周鹏 - 刘春森团队前期研究显示，二维半导体结构能使速度提升千倍以上，实现纳秒级超快存储闪存技术。团队开发超工程技术，在规模化二维闪存中实现原子级平整度异质，集成工艺优于国际水平。1Kb 存储规模中纳秒级非易失编程速度下良率高达 98%，高于国际要求。研究团队还研发自对准工艺和创新存储叠层电场设计理论，实现 8 纳米沟道的超快闪存器件，突破硅基闪存物理尺寸极限。此器件具备 20 纳秒超快编程等性能，将推动产业化应用。