复旦团队：8纳米超短沟道闪存器件，20纳秒编程速度

快讯正文

【复旦团队突破性研发超快闪存集成工艺】 复旦大学周鹏-刘春森团队近期取得重大科研进展，研发出一种超快闪存集成工艺，该工艺能够在20纳秒内完成编程，并具备10年的非易失性。这一突破基于团队先前的研究，即二维半导体结构能够显著提升存储速度，实现纳秒级的超快存储技术。 面对规模集成的挑战，研究团队开发了一种不依赖先进光刻设备的自对准工艺，并结合创新的超快存储叠层电场设计理论，制造出沟道长度仅为8纳米的超快闪存器件。这一尺寸是目前国际上最短的沟道闪存器件，并超越了硅基闪存的物理尺寸极限。 该超小尺寸器件在原子级薄层沟道的支持下，不仅实现了20纳秒的超快编程，还具备10年的非易失性、十万次的循环寿命以及多态存储性能。这一成果预计将推动超快颠覆性闪存技术的产业化应用。