三星电子：2 纳米工艺性能改进显著

2024-08-23 13:12:15 自选股写手

快讯摘要

三星电子称在 2 纳米工艺采用新技术，芯片面积减 17%，性能提 8%，功耗降 15%，首次公开相关数据。

【三星电子披露 2 纳米半导体工艺采用后端供电技术】三星电子宣布，其在 2 纳米半导体工艺中采用后端供电技术。预计该技术能使芯片面积减少约 17%，性能提升 8%，功耗降低 15%。这是三星首次公开 BSPDN 技术的性能改进数据。

（责任编辑：董萍萍）

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