存储芯片：涨价潮与国产公司业绩飘红，HBM崛起

【AI 时代存储芯片价值攀升，各类产品盈利情况备受关注】 在 AI 风靡的当下，数据规模暴增，存储芯片作为数据关键承载者，价值不断上扬。存储芯片有多种品类，其盈利状况是业界焦点。
存储芯片可细分为易失性存储芯片和非易失性存储芯片（ROM）。RAM 断电后数据丢失，用于临时存储，如运行中的程序和处理器缓存，代表产品有 DRAM 和 SRAM。ROM 无电源时能长期存数据，适用于存储程序代码和用户数据，代表产品为 NAND Flash 和 NOR Flash。
从全球看，存储芯片市场以 DRAM 和 NAND Flash 为核心，二者份额超 90%，NOR Flash 占比约 3%，其他类型约 2%。
DRAM 即动态随机存取存储器，是常见系统内存，需定时刷新，按产品分有 DDR、LPDDR、GDDR 及新型存储 HBM，市场分主流和利基型，主流玩家为三星、美光和海力士，中国大陆头部公司有进展，利基型玩家分散，包含大陆的兆易创新、北京君正等。
Flash 分 NOR Flash 和 NAND Flash。NAND Flash 是非挥发性存储技术，读写速度快、容量大、能效高，技术类型和产品应用多样，全球厂商主要有三星电子、铠侠、SK 海力士、西部数据、美光科技等，行业集中度高，格局稳定。
NOR Flash 读取快、随机访问强、单字节编程、可靠性高，在特定场景重要，但容量密度小、写入擦除慢、价格高。不过，因其特性难以被淘汰，应用领域广泛，竞争格局集中，华邦、旺宏、兆易创新三家份额超 90%。
DRAM 产品中，DDR4、DDR5 涨势明显，HBM 最为迅猛。2024 年 Q1，DRAM 产业主流产品合约价上涨，带动营收增长，Q2 延续涨势。细分看，DDR 不同系列上半年均涨价，DDR3 因供给减少和需求增加涨价，DDR4、DDR5 是涨价主力，LPDDR 和 GDDR 也受影响。
NAND Flash 产品中，SSD 连续四季度涨价。2024 年 Q1，NAND Flash 量价齐扬，营收增长，合约价涨幅上修，Q2 预计显著上涨，企业级 SSD 涨幅高，消费级 SSD 涨幅相对小，eMMC/UFS 预计涨 10%左右，Nor Flash 产品今年上半年试探性涨价。
DRAM、NANDFlash 和 NOR Flash 盈利能力受多因素影响，今年上半年，HBM 盈利能力最强，因其需求井喷、技术复杂供应有限，价格居高不下。此外，DDR5 也有优势，性能功耗优、需求增长渗透率提升、产品升级价格上涨。
国产存储公司业绩飘红。上半年，A股 存储芯片赛道上市公司整体高增长，25 家公司净利润合计同比增 146.26%。澜起科技、江波龙、佰维存储、德明利、兆易创新等业绩出色。
随着新兴技术发展，存储芯片需求持续增长，各类存储产品将发挥重要作用，高性能产品有广阔空间，国产存储公司面临机遇挑战，需加强创新升级。

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