兴森科技：公司FCBGA封装基板能满足12层垂直堆叠的HBM3E-DRAM封装技术要求,可用于HBM3E-DRAM的封装

同花顺（300033）金融研究中心10月10日讯，有投资者向兴森科技（002436）提问， 三星推出了其 12 层高的 HBM3E（Shinebolt）。Shinebolt 取代了去年推出的“Icebolt”HBM3 内存。Icebolt 堆叠式 DRAM 内存为 12 高堆栈、24 GB 容量、 819 GB/秒的带宽。Shinebolt HBM3E 在 36 GB 堆栈中提供 1.25 TB/秒的带宽，兴森的封装载板能满足12层垂直堆叠的HBM3E-DRAM封装技术要求吗？谢谢！

公司回答表示，尊敬的投资者，您好！公司FCBGA封装基板能满足12层垂直堆叠的HBM3E-DRAM封装技术要求,可用于HBM3E-DRAM的封装。感谢您的关注。

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