半导体行业快报：美国制裁落地 半导体各环节国产化行则将至

　　事件点评
　　2024 年12 月2 日晚间，美国工业和安全局（BIS）修订了《出口管理条例》（EAR），将140 个中国半导体行业相关实体添加到“实体清单”。
　　美国加强出口管制，意图限制我国本土化半导体能力。2024 年12 月2 日晚，美国商务部工业和安全局宣布一系列规则，包括对24 种半导体制造设备和3 种用于开发或生产半导体的软件工具进行的新管控；对高带宽内存（HBM）的新控制；解决合规和转移问题的新危险信号指南；实体清单新增140 项，修改14项。具体内容：1）集成电路所需的半导体制造设备的新管控，包括某些蚀刻、沉积、光刻、离子注入、退火、计量和检验以及清洗设备。2）对用于开发或生产集成电路的软件工具的新管控，包括某些可以提高设备生产率或允许某些机器生产高端芯片的软件。3）高带宽内存（HBM） 的新管控。HBM 对于大规模AI训练和推理至关重要，系高级计算集成电路关键组件。新的管控措施适用于美国原产HBM 以受EAR 约束的外国生产的HBM，某些HBM 将有资格根据新的许可条例获得授权。4）除14 项修改外，实体清单中还增加140 家实体，包括半导体晶圆厂、工具公司和投资公司。5）制定两项新的外国直接产品（FDP）规则和相应的最低限度规定；6）新的软件和技术管控，包括对电子计算机辅助设计（ECAD）和技术计算机辅助设计（TCAD）软件和技术的限制。7）向EAR澄清有关软件密钥的现有控制。出口管制现在适用于软件密钥的出口、再出口或转让，这些密钥允许使用特定的硬件或软件或更新现有的软件和硬件使用许可证。上述规则主要目标在于：1）减缓中国先进人工智能发展；2）损害中国本土半导体生态系统发展。
　　半导体各环节国产化，系实现半导体产业链自主可控关键一环。（1）材料：国产厂商在多类材料的自给能力低，主要为中低端产品，在强技术壁垒的高端材料领域，国产化能力较为薄弱，且材料属于耗材类产品，故国产化更为迫切。根据观研天下数据，2022 年硅片国产化率仅为9%，至2024 年8 英寸硅片国产化率达55%；2022-2024 年光掩模由国产化率30%向晶圆厂商自产为主转变；键合丝国产化率由2022 年的不足20%提升至30%；目前我国半导体材料国产化仍存在挑战，如12 英寸硅片国产化率仅为10%，光刻胶国产化率为10%，电子气体国产化率为15%， 是电子化学品国产化率为10%（G3 及以上）。（2）设备：中国半导体设备厂商已覆盖多个细分领域，其中在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高，在CMP、热处理、薄膜沉积设备上有所突破，而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备上的国产化程度仍较低。根据沙利文&头豹数据，中国大陆半导体设备国产化率稳步提升，刻蚀设备、薄膜沉积设备、清洗设备、CMP 抛光设备的国产化率位于10%-30%之间，热处理设备国产化率位于30%-40%之间，去胶机国产化率达到80%以上；光刻、量/检测设备、离子注入设备、涂胶显影设备国产化率仍较低，处于5%以下。（3）代工： 台积电7nm工艺分为第一代7nm 工艺（N7）、第二代7nm 工艺（N7P）和7nm EUV（N7+）。
　　其中，N7 和N7P 使用的是DUV 光刻技术，而N7+则采用4 层EUV 光刻技术，台积电第一代7nm 工艺技术表明可以通过多重曝光技术和浸没式光刻技术来实现7nm 节点。（4）EDA：根据全球半导体观察数据，全球EDA 市场仍以新思科技、楷登电子、西门子三家巨头为主导，市场集中度高达近70%；国内厂商中华大九天、概伦电子、广立微、芯华章等企业迈入全球EDA 市场第二三梯队。
　　华大九天模拟全流程整体可支持28nm 及以上制程设计，其中电路仿真工具可支持4nm，晶体管级电源完整性分析工具可支持14nm；概伦电子核心制造类能够支持7nm/5nm/3nm 等先进工艺节点和FinFET、FD-SOI、GAAFET 等各类半导体工艺路线，核心设计类支持7nm/5nm/3nm 等先进工艺节点和FinFET、FD-SOI 等各类半导体工艺路线；广立微优势在于成品率提升领域下的软硬件产品全流程覆盖。
　　建议关注：材料：光刻胶：彤程新材、鼎龙股份、南大光电、上海新阳、晶瑞电材、华懋科技等；化学机械抛光液：安集科技等；硅片：沪硅产业等；掩膜版：
　　清溢光电等；靶材：江丰电子等；环氧塑封料：华海诚科等。设备：北方华创（刻蚀/薄膜沉积/清洗/热处理）、中微公司（刻蚀/薄膜沉积）、芯源微（涂胶显影）、离子注入（万业企业）、量/检测设备：精测电子、中科飞测；测试设备：华峰测控、长川科技；零部件：富创精密、先锋精科。制造：中芯国际。EDA：华大九天、概伦电子、广立微。
　　风险提示：新技术、新工艺、新产品无法如期产业化风险，市场竞争加剧风险，国产化进程不及预期的风险，系统性风险等。
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