12 月 17 日，台积电公布 2 纳米制程细节，性能提升，功耗降低，价格高于 3 纳米 10%以上。
【12 月 17 日，在旧金山举行的 IEEE 国际电子器件会议上，台积电公布 2 纳米（N2）制程技术更多细节。】相较于前代制程，N2 制程性能提升 15%，功耗降低高达 30%，能效显著提升。得益于环绕式栅极（GAA）纳米片晶体管和 N2NanoFlex 技术应用，晶体管密度提高 1.15 倍。N2NanoFlex 技术允许制造商在最小面积内集成不同逻辑单元，进一步优化制程性能。据悉，N2 制程晶圆价格比 3 纳米制程高出 10%以上。
【免责声明】本文仅代表作者本人观点，与和讯网无关。和讯网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。邮箱：news_center@staff.hexun.com
![乙级测绘资质证书[乙测资字11513208]](https://img.hexun.com/chzzzs.jpg){kind=link}
最新评论