12 月 18 日英诺赛科启动招股,氮化镓市场潜力大,公司实力强,有望 12 月 30 日上市。
【12 月 18 日,英诺赛科科技股份有限公司启动公开招股】英诺赛科拟全球发售 4536.4 万股 H 股,香港发售占约 10%,国际发售占约 90%,另有约 15%超额配股权。发售价最高每股 33.66 港元,每手 100 股,预期 H 股 12 月 30 日上市。氮化镓作为第三代半导体代表性材料,优势众多,下游市场应用潜力广阔。2023 年氮化镓功率半导体产业开启指数级增长元年,预计到 2028 年,全球市场规模达 501 亿元。英诺赛科拥有全球最大氮化镓功率半导体生产基地,是全球首家量产 8 英寸硅基氮化镓晶圆的 IDM 企业。2021 年—2023 年,公司收入复合年增长率高达 194.8%。以折算氮化镓分立器件收益计,截至 2023 年末,公司市场份额高达 33.7%,全球排名第一;截至 2024 年 6 月 30 日,公司氮化镓分立器件累计出货量超 8.5 亿颗。此次赴港上市,有望助英诺赛科提升国际知名度与影响力,深化全球拓展、强化技术迭代,引领氮化镓领域发展。
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