存储芯片周度跟踪：南亚科预计DRAM市场第2季开始复苏 存储现货行情整体表现平稳

　　核心观点
　　NAND：集邦咨询预计2025Q1 NAND 平均合约价预测降 10~15%。
　　根据DRAMexchange，上周（20250113-0117）NAND 颗粒22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.82%至2.15%，平均涨跌幅为0.30%。
　　其中6 个料号价格持平，11 个料号价格上涨，5 个料号价格下跌。根据IT 之家援引TrendForce 集邦咨询报告，预测 2025 年第 1 季度NAND Flash 平均合约价环比下降 10~15%；DRAM 合约价环比下降8~13%。集邦咨询预测，2025 年第 1 季度 NAND Flash 市场将面临严峻挑战，供货商库存持续上升，订单需求下降，平均合约价预计将环比下降 10% 至 15%。
　　DRAM: 南亚科预计DRAM 市场第2 季开始复苏。根据DRAMexchange，上周（20250113-0117）DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.57%至0.79%，平均涨跌幅为-0.27%。上周8 个料号呈上涨趋势，10 个料号呈下降趋势，0 个料号价格持平。南亚科技总经理李培瑛表示，随着区域经济体发布刺激方案，客户态度已转趋积极，预计DRAM 市场可望于第2 季开始复苏。
　　HBM：美光科技在新加坡兴建HBM 先进封装厂。根据CFM 闪存市场报道，美光科技位于新加坡的高带宽存储器（HBM）先进封装厂于1 月8 日破土动工，这是新加坡第一家同类工厂。新工厂计划于2026 年开始运营，并从2027 年开始扩大美光的先进封装总产能，以满足人工智能增长的需求，并将与美光在新加坡的现有业务产生协同效应。美光在HBM 先进封装方面的投资约为70 亿美元（95 亿新元）。
　　市场端：存储现货行情整体表现平稳。根据CFM 闪存市场报道，近期渠道SSD 价格涨跌各异。其中，在低价颗粒货源短缺持续发酵下，带动渠道市场少数低容量SATA SSD 和PCIe SSD 止跌反涨，但随着后续供应端低价资源逐渐释出，2025 年上半年渠道市场向下趋势仍然较为清晰明朗；而受QLC 资源增多冲击叠加市场现降价行为，令部分大容量PCIe4.0 SSD 价格小跌。嵌入式和行业市场因年关将至整体变化不大，价格较为稳定。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM 需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。
　　风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。
【免责声明】本文仅代表第三方观点，不代表和讯网立场。投资者据此操作，风险请自担。

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