东吴证券:国产半导体设备核心技术突破获国际认可 相关设备链迎增量机遇

2025-02-26 09:56:02 智通财经 
新闻摘要
智通财经APP获悉,东吴证券发布研报称,三星电子与长江存储就先进封装技术“混合键合”达成合作,三星计划从V10世代NAND开始采用YMTC专利技术,标志着国产半导体设备核心技术突破获国际认可。混合键合技术通过晶圆对晶圆工艺替代传统凸点连接,显著缩短电路路径,提升芯片性能与散热效率,成为3DNAND及AI算力芯片封装的关键路径。研报指出,中性预测下,2030年全球混合键合设备需求将达1400台,市场规模突破28亿欧元,AI算力需求为核心驱动力

智通财经APP获悉,东吴证券发布研报称,三星电子与长江存储(YMTC)就先进封装技术“混合键合”达成合作,三星计划从V10世代NAND开始采用YMTC专利技术,标志着国产半导体设备核心技术突破获国际认可。混合键合技术通过晶圆对晶圆(W2W)工艺替代传统凸点连接,显著缩短电路路径,提升芯片性能与散热效率,成为3D NAND及AI算力芯片封装的关键路径。研报指出,中性预测下,2030年全球混合键合设备需求将达1400台,市场规模突破28亿欧元(约200亿人民币),AI算力需求为核心驱动力。建议重点关注后道先进封装设备链相关标的。

东吴证券主要观点如下:

三星与长江存储就新的先进封装技术“混合键合”等达成合作。

三星已确认从V10(第10代)开始,将使用中国NAND制造商YMTC的专利技术,特别是在新的先进封装技术“混合键合”方面。YMTC是最早将混合键合应用于3DNAND的企业,因此在相关技术上拥有强大的专利积累。三星电子选择通过与YMTC达成许可协议,而不是冒险规避专利,来化解未来可能出现的风险。

混合键合技术难度较大,海外设备占主导。

混合键合分为晶圆对晶圆W2W和芯片对晶圆D2W,3DNAND使用W2W,省去了传统芯片连接中所需的凸点(Bump),使得电路路径变得更短,从而提高性能和散热特性,设备供应商主要为奥地利EVG、德国SUSS、荷兰BESI等公司,根据BESI中性假设推测,2030年混合键合设备需求总量预计达1400台,累计市场规模预计突破28亿欧元,约200亿人民币左右,这一增长主要由AI算力需求驱动。

国内拓荆科技、迈为股份等均布局混合键合设备。

(1)拓荆科技布局了两款晶圆对晶圆键合产品(Dione 300)和芯片对晶圆键合表面预处理产品(Pollux)。(2)迈为股份已推出混合键合设备,对位精度<100nm,除此以外还推出了临时键合、激光解键合等设备。

风险提示:下游扩产速度不及预期,设备国产化进程不及预期。

(责任编辑:贺翀 )

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