复旦大学团队研制出“破晓”皮秒闪存器件，擦写速度达亚 1 纳秒，创世界最快纪录。
【复旦大学研制出世界最快半导体电荷存储技术】复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室、芯片与系统前沿技术研究院周鹏-刘春森团队通过构建准二维泊松模型，从理论上预测了超注入现象，突破了现有存储速度的理论极限，并研制出“破晓”皮秒闪存器件。其擦写速度能提升至亚 1 纳秒，这意味着每秒可进行 25 亿次操作，成为迄今为止全球最快的半导体电荷存储技术。
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