电子行业存储芯片周度跟踪：三星电子开发混合CXL模块 LPDDR4X现货涨价

　　核心观点
　　NAND：三星电子正开发结合NAND 的“混合CXL”模块。根据DRAMexchange，上周（20250512-0516）NAND 颗粒22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-0.45%至2.78%，平均涨跌幅为0.64%。其中13 个料号价格持平，8 个料号价格上涨，1 个料号价格下跌。根据科创板日报报道，三星电子正在开发将NAND 闪存与Compute ExpressLink（CXL）模块相结合的产品，目标在2027 年实现商业化。
　　DRAM：2025 年一季度全球DRAM 市场规模同比增长42.5%至267.29 亿美元。根据DRAMexchange， 上周（20250512-0516）DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-0.29%至7.51%，平均涨跌幅为3.29%。上周17 个料号呈上涨趋势，1 个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据CFM 闪存市场报道，2025 年一季度在AI 服务器保持稳健推动对服务器DRAM 需求，PC 和移动需求复苏力度也较预期更为明显，此外叠加关税触发的部分补库存需求的共同影响下，2025 年一季度整体表现优于预期，全球DRAM 市场规模同比增长42.5%至267.29 亿美元，环比减少8.5%。
　　HBM：HBM4 量产在即，键合设备厂商率先卡位。根据CFM 闪存市场报道，韩国半导体设备厂商韩美半导体宣布，将推出用于生产HBM4 的专用设备“TC BONDER 4”。该设备针对HBM4 对精度要求更高的特点，与同类产品相比，生产效率和精度均有大幅提升。
　　HBM4 是第六代高带宽存储器，与现有的HBM3E 相比，数据传输速度提高约60%，功耗降低近30%，预计AI 和高性能计算（HPC）市场的需求将激增。TSV（硅通孔）接口数量增加到2048 个，是HBM3E 的两倍。HBM4 最多支持16 层，每个DRAM 的容量也从24Gb 扩展到32Gb。
　　市场端： 部分LPDDR4X 资源供应紧张， 上周现货市场多数LPDDR4X 产品价格大幅拉涨。根据CFM 闪存市场报道，DRAM 原厂自2024 年三季度以来相继宣布减产/转产LPDDR4X，使得现货市场相应LPDDR4X 产品出现供应趋紧现象，令上周LPDDR4X 价格大幅拉涨。长期来看，多数DRAM 原厂仍秉持控产且保利润的态度，需求端虽传统消费电子产品销售未见明显好转，但LPDDR4X 在部分移动设备中仍是刚需，未来因LPDDR4X 产能缩减而令资源供应趋紧的现象或将持续。
　　投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM 需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。
　　风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。
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