电子行业：部分存储涨价 AI和国产化驱动行业增长

　　AI 浪潮驱动行业上行，存储国产化前景广阔。存储需求回暖，5 月份存储器半导体DRAM 和NAND 闪存的月平均价格连续两个月上涨，价格上涨趋势有望持续到第三季度：NAND Flash 方面，二季度价格上涨受国际形势变化影响，三季度企业级SSD 需求增长成主要价格支撑；DRAM 方面，受原厂停产计划影响补货需求，DDR4 系列有望大幅上涨。AI 已成为存储需求增长的关键动力，据 PrecedenceResearch 研究报告，全球 AI 驱动存储市场预计将从 2024 年的 287 亿美元，激增至 2034 年的 2552 亿美元，年复合增长率达24.4%。中国存储产业链有望受益于AI 自主可控政策双重驱动，国内存储IC 公司在利基DRAM、NAND 和NOR Flash领域持续开拓，国产化前景广阔。
　　DRAM：利基市场格局重塑中，3D DRAM 走向产业。利基 DRAM 领域，原厂产能转向DDR5 和HBM 带来供应收缩，而消费电子市场和行业市场对DDR4 仍保持可观需求，供需不平衡下利基DRAM 价格持续高企，Tier2 厂商有望快速提升市场份额和盈利能力。另一方面，为满足高速高带宽存储需要，堆叠DRAM 成为新趋势，在各大原厂持续迭代的 HBM（高带宽存储）技术外，依托混合键合等先进封装技术， 3D DRAM 产业化进程加速。定制化存储在提升存储性能同时，可实现更低功耗、更高集成度和更强散热能力，为端侧AI 提供具有适配性更强的存储方案，市场规模有望随端侧AI 渗透率提升快速成长。
　　Flash：AI 驱动容量和总需求上升，企业级市场增长迅速。AI 技术发展促使 Flash市场容量和总需求显著上升，企业级市场尤为突出。在 NAND Flash 领域，数据中心和服务器对存储性能和容量的需求激增，驱动企业级 SSD 市场快速增长，国内存储模组厂市场份额有望提升。受益于物联网、汽车电子、5G 等新兴领域的发展和端侧AI 的拉动，NOR Flash 市场有望保持增长。国内企业通过提供高性价比产品并抓住市场机遇进入市场，不断升级产品容量和工艺制程，逐渐形成各自的竞争优势。
　　存储需求回暖，AI 服务器和AI 终端有望持续带动存储需求增长，同时叠加国产替代机遇，建议关注存储产业链：
　　存储IC 设计：兆易创新、北京君正、东芯股份、复旦微电、紫光国微、普冉股份、聚辰股份、恒烁股份等；
　　存储互联、控制等芯片：澜起科技、联芸科技；存储模组：德明利、佰维存储、朗科科技、江波龙、万润科技；封测：深科技；
　　系统级解决方案：同有科技等。
　　风险提示
　　国际形势变化影响存储行情；下游需求增长不及预期；AI 产业发展不及预期。
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