存储芯片周度跟踪：SK海力士或向英特尔供应HBM4 LPDDR4X续涨

　　核心观点
　　NAND：美光推出2600 NVMeSSD。根据DRAMexchange，上周（20250630-0704）NAND 颗粒22 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.67%至5.08%，平均涨跌幅为1.44%。其中3 个料号价格持平，18个料号价格上涨，1 个料号价格下跌。根据科创板日报报道，美光宣布，推出美光2600 NVMSSD，专为原始设备制造商设计的高性价比客户端存储解决方案。2600 SSD 搭载业界首款应用于SSD 的第九代QLC NAND（G9 QLC NAND），并采用美光创新的自适应写入技术。
　　DRAM：TrendForce 称16Gb DDR4 持续上涨 ，PC 级DRAM 价格或失去涨价动力。根据DRAMexchange，上周（20250630-0704）DRAM 18 个品类现货价格环比涨跌幅区间为-3.66%至20.85%，平均涨跌幅为1.96%。上周11 个料号呈上涨趋势，7 个料号呈下降趋势，0 个料号价格持平。根据科创板日报报道，根据TrendForce 最新的内存现货价格趋势报告，DRAM 方面，16Gb DDR4 消费级DRAM 芯片现货价格持续上涨，而8Gb DDR4 等PC 级DRAM 芯片则出现小幅回调。NAND Flash 方面，随着供应商产能资源逐步释放，加之相关补贴政策效应减弱，导致现货市场低迷。
　　HBM：SK 海力士称有望向英特尔AI 芯片Jaguar Shores 供应HBM4。根据科创板日报报道，SK 海力士表示，正与英特尔在大带宽、大容量内存方面合作，有望向英特尔Jaguar Shores AI 显卡加速器供应HBM4。
　　市场端：封装基板短缺致使LPDDR4X产品交付更加艰巨，现货价格再度大幅上扬。根据CFM 闪存市场报道，封装基板等关键材料缺货持续发酵并传导至成品端，使本就受存储资源供应紧缺影响的LPDDR4X 成品产出更加艰难，尤其8/16Gb 等低容量LPDDR4X 交付压力更为突出，带动LPDDR4X 产品价格延续攀升态势。相关集成式eMCP 和uMCP 产品跟随LPDDR4X 价格上扬调涨报价。
投资建议
　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM 产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。
　　HBM：受益于算力芯片提振HBM 需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI 带动HBM、SRAM、DDR5 需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注兆易创新、恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利等。
风险提示
　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。
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