时代电气：公司IGBT芯片一期、二期产线已经满产，三期预计年内达产

7月23日，有投资者在互动平台向时代电气（688187.SH）提问，若同时中标藏东南项目及国网其他特高压订单（如金上-湖北），二期IGBT产线是否需紧急扩产？当前产能利用率是否已达85%？新增产能投产时间能否早于原计划的2025Q4？

时代电气回答表示，公司IGBT一期、二期产线已经满产。三期宜兴IGBT芯片产线预计将于年内达到设计产能，三期株洲产线于2024年11月份启动建设，2025年5月主体厂房封顶，预计2025年下半年启动设备搬入，2025年底有望实现产线拉通，该项目为8英寸SiC晶圆。电网用高压器件目前产能充足。

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