8月22日，东芝电子元件与天岳先进就SiC功率半导体用衬底达成协议，将开展技术与商业合作
【8月22日东芝电子元件与天岳先进达成SiC功率半导体用衬底基本协议】 8月22日，东芝电子元件和天岳先进就天岳先进开发制造的SiC功率半导体用衬底达成基本协议。双方将开展两方面合作，一是针对SiC功率半导体特性提升与品质改善进行技术协作，二是运用合作成果扩大高品质稳定衬底供应的商业合作。
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