10月31日安森美推出垂直氮化镓功率半导体，采用GaN - on - GaN技术，损耗降近50%，已向客户提供样品
【10月31日安森美推出垂直氮化镓功率半导体】 10月31日，安森美推出垂直氮化镓（vGaN）功率半导体。对于超高压器件，其垂直氮化镓采用GaN - on - GaN技术，让电流垂直流过芯片，而非沿表面横向流动。这一方案降低能量损耗和热量，损耗减少近50%。 目前，安森美已向早期客户提供700V和1200V器件样品。
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