12月1日迈为股份在互动平台透露,高选择比刻蚀等设备可用于HBM工艺,刻蚀和薄膜沉积设备已用于芯片制造。
【迈为股份:部分设备可用于DRAM工艺】 12月1日,迈为股份在互动平台透露,公司高选择比刻蚀设备及混合键合设备等可用于DRAM工艺。 此外,该公司刻蚀和薄膜沉积设备已广泛应用于存储芯片、逻辑芯片制造领域。
本文由 AI 算法生成,仅作参考,不涉投资建议,使用风险自担
【免责声明】本文仅代表作者本人观点,与和讯网无关。和讯网站对文中陈述、观点判断保持中立,不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考,并请自行承担全部责任。邮箱:news_center@staff.hexun.com
最新评论