12月19日安森美半导体与格芯签约，用其工艺开发制造GaN功率产品，满足多领域功率需求 。
【12月19日安森美半导体与格芯达成合作开发氮化镓功率产品】 12月19日，安森美半导体与格芯签署合作协议，将用格芯先进的200毫米eMode氮化镓硅基工艺，开发并制造先进氮化镓(GaN)功率产品，首款为650V器件。 此次合作会加速安森美半导体高性能GaN器件及集率级产品路线图推进，通过扩展高压产品组合，满足多领域增长的功率需求，包括人工智能数据中心、电动汽车等。
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